Транзистор IGBT YGW40N65F1 N-канальный 80A 650V TO247 (новый)

Транзистор IGBT YGW40N65F1 N-канальний 80A 650V TO247 (новый)

Транзистор YGW40N65F1 N-канальный IGBT 80A 650V TO247.

Характеристики:

Тип транзистора:                                   YGW40N65F1.
Корпус транзистора:                                TO247.
Наличие встроенного диода:                         да.
Маркировка транзистора:                            YGW40N65F1.
Структура:                                         n-канал.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:         650 V.
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C:       80 А.
Импульсный ток коллектора:                         120 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при +25°С:  1,8 V.
Пороговое затворное напряжение:                    4,9 V.
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:            20 V.
Максимальная рассеиваемая мощность:                188 W.
Выходная емкость:                                  2100 pF.
Рабочая температура:                               -40...+175°C.
Фирма изготовитель:                                LU-SEMI.
Состояние:                                         новое.

 Транзистор YGW40N65F1 N-канальный 80A 650V IGBT TO247 – это
высоковольтные быстрые транзисторы для электронных силовых схем.
Применяют в источниках бесперебойного питания, инверторах,
сварочной технике, преобразователях с высокой частотой
коммутации.

Цена - 125 грн (за 1 шт).